SIMULATION IN PRACTICE 導入実例|企業名・製品名は非公開

実機で試す前に、解析で絞り込む。

試作・検証を繰り返す開発から、有望な条件だけを実機で確かめる開発へ。

解析を先行させる開発への転換と、その導入実例 設計から実機試作・検証・改善・再試作を繰り返す従来の開発に対し、PIC Softwareでは解析と最適化で有望条件を選び実機で検証。導入実例は実機試作回数72%削減、試作・評価関連コスト2,475万円から1,281万円へ、約48%削減、削減額1,194万円。 設計・条件検討 開発の出発点 従来の開発プロセス 実機で試して、評価し、また試作する 試作 実機検証 改善・再試作を繰り返す PIC Softwareのソリューション 解析・最適化 有望な条件を事前に選定 有望条件のみ実機検証 実機試作回数 72% 削減 製品化へ 試作・評価関連コスト 導入実例 / 同じ対象費用で比較 導入前 2,475 万円 試作・評価関連コスト 約48% 削減 導入後 1,281 万円 削減額 1,194 万円 試作費・設備使用費・評価工数などを圧縮 実機で試す前に解析で条件を絞り込む、開発工程と導入実例の一体図 従来は試作・実機検証・改善・再試作を反復。PIC Softwareは解析・最適化から有望条件の実機検証へ。実機試作回数72%削減。試作・評価関連コストは2,475万円から1,281万円へ、約48%、1,194万円削減した導入実例。 設計・条件検討 従来の開発 PIC Software 試作・実機検証 改善・再試作を 繰り返す 解析・最適化 有望条件を実機検証 実機試作回数 72% 削減 試作・評価・手戻り 導入前の対象費用 導入後の対象費用 2,475万円 1,281万円 試作・評価関連コスト 約48% 削減 削減額 1,194 万円 試作費・設備使用費・評価工数などを圧縮

実機検証をなくすのではなく、解析によって候補を絞り、必要な検証に集中する考え方です。図中の装置・工程は模式図です。数値は当該導入実例における対象費用・回数の比較であり、開発費用全体を示すものではありません。削減効果は装置構成・解析条件・運用方法により異なります。

WHY PIC SOFTWARE

ソフトウェアの提供だけで、 終わりではありません。

PIC Softwareは、解析・改善提案・開発・設計まで一貫して支援。
解析結果を実機検証・改善検討へつなげるところまで、 専門技術者が伴走します。

解析後も
実機結果とすり合わせ 解析結果と実機検証を比較し、次の改善へつなげます
返金保証
所定条件で適用 受託解析・改善提案を安心してご依頼いただける体制
専任チーム
一貫して担当 解析から改善提案・開発・設計まで専任チームが担います
01 AFTER SUPPORT

解析後も、実機結果まで。

解析して終わりではなく、 実機での検証結果とのすり合わせ、追加相談、条件検討 まで継続してサポートします。

手厚いアフターサービス
02 DEDICATED TEAM

専任チームが、
一貫して担当。

受託解析・改善提案・開発・設計では、 案件ごとの専任チームが継続して対応し、 解析から改善まで一貫して支援します。

担当の専任チームが一貫して支援
03 GUARANTEE

所定条件で返金保証。

受託解析・改善提案では、 所定の条件を満たす場合に返金保証制度 をご用意しています。

成果が出なかった場合の返金保証
04 WEEKLY MEETING

原則、毎週。
継続してすり合わせ。

進捗共有と解析方針の確認を継続的に実施。 条件や方向性のズレを抑えながら プロジェクトを進めます。

定期的なヒアリング・打ち合わせ
05 WIDE PROCESS

多様なプロセス・装置に対応。

エッチング、CVD、スパッタ、表面活性化など、 多様なプラズマプロセス・装置に対応します。

幅広いプロセス・装置に対応

ソフトウェアライセンス

自社で解析・設計・条件検討を行いたいお客様向け

プラズマ・粒子挙動を3次元で解析できる シミュレーションソフトウェアを提供しています。 研究開発から装置設計、 プロセス条件の比較・最適化まで幅広く利用できます。

PIC-PLASMA 3D

プラズマ・粒子挙動解析ソフトウェア

3次元PIC / MCCシミュレーション
電子・イオン・中性粒子などを解析
CAD形状を利用した装置解析
エッチング・CVD・スパッタ等に対応
解析結果を直感的に可視化

受託解析・改善提案・開発・設計

解析から改善・設計まで任せたいお客様向け

お客様の装置・プロセスに対し、 解析による課題の原因分析から改善提案、 新規装置・プロセスの開発・設計まで トータルに支援します。

受託解析

電磁場、電子軌道、プラズマ分布、粒子挙動、 入射分布などを解析し、課題の原因を明確化します。

改善提案

解析結果をもとに、装置構造・プロセス条件の最適化や 具体的な改善案をご提案します。

開発・設計

新しい装置・機構・解析手法の開発や設計を支援し、 必要に応じてソフトウェア機能開発にも対応します。

INSIGHTS & ENGINEERING

技術コラム・解析事例

プラズマ解析の知見を、研究開発の次の判断へ。

KNOWLEDGE FROM PIC SOFTWARE

技術の背景から、
解析の活用まで。

技術解説・条件比較・導入ガイドなど、 研究開発に役立つ記事を順次掲載します。

01 / TECHNOLOGY プラズマ解析の技術解説

解析手法や評価指標の考え方

02 / CASE STUDY 解析事例・条件比較

解析結果の読み方と検討の進め方

03 / GUIDE 導入・受託解析ガイド

ソフトウェア導入や解析依頼の準備

記事の公開を準備しています。

PIC-PLASMA 3Dでできること

PIC-PLASMA 3Dは、装置内部のプラズマ・粒子挙動を3次元で解析し、 条件比較や課題の可視化を支援するシミュレーションソフトウェアです。 研究開発や装置設計の初期段階で有望条件を絞り込み、 実機検証の効率化に役立ちます。

3次元
PIC / MCC解析
CAD形状の
装置解析
プラズマ分布の
可視化
電子・イオンの
軌道解析
入射分布・
粒子挙動評価
条件比較・
最適化検討
機能紹介 1

装置内部のプラズマ・粒子挙動を3次元で把握

電子・イオン・中性粒子の挙動やプラズマ分布を3次元で解析し、 装置内部で何が起きているかを可視化します。 実験だけでは把握しにくい分布の偏りや 局所的な変化の確認に役立ちます。

可視化 プラズマ分布や粒子軌道を直感的に確認
比較 条件変更前後の違いを把握
原因分析 偏りや異常の要因検討を支援
機能紹介 2

CAD形状を用いて装置構造や条件の影響を検討

CAD形状を利用して、装置構造や電極配置、 条件差による影響を解析できます。 実機試作の前段階で候補案を比較し、 有望な構成や条件を絞り込むことで 開発効率の向上につながります。

形状反映 装置形状を踏まえた検討が可能
条件比較 複数条件の差を比較しやすい
初期検討 試作前の方向性判断を支援
機能紹介 3

研究開発・改善検討に必要な解析結果を整理

解析結果をもとに、課題の可視化、 改善案の検討、実機検証条件の選定を進められます。 社内での検討用ソフトウェアとしても、 受託解析・改善提案を進める基盤としても活用できます。

開発支援 装置・プロセス開発の判断材料を提供
改善検討 解析に基づく改善案の検討を支援
実機連携 実機検証とのすり合わせにも活用

開発者・解析技術者が、
直接サポートします。

PIC Softwareでは、ソフトウェア開発と解析技術の中核を担う技術者が、 お客様の課題に直接関わります。 ソフトウェアを提供して終わりではなく、 解析結果と実機検証のすり合わせまで一貫して支援します。

専任チームが一貫して担当 受託解析・改善提案・開発・設計では、 案件ごとの専任チームが継続して対応します。
定期的な技術ミーティング 進捗や解析結果を共有しながら、 次の解析条件や改善方針を継続的に検討します。
実機結果まで見据えた支援 シミュレーション結果だけで終わらず、 実機検証との比較・すり合わせにも対応します。
PIC Software 開発者 坂本光輝

坂本 光輝

PIC-PLASMA 3D 開発者 / シミュレーション技術

京都大学で研究用に開発していた プラズマシミュレーションコードが、 現在の「PIC-PLASMA 3D」の技術的な基盤となっています。

プラズマ・粒子シミュレーションの研究から 産業分野での電子軌道解析、解析ソフトウェア開発まで、 一貫してシミュレーション技術に携わっています。

京都大学工学研究科で核融合プラズマの シミュレーション研究に従事し、修士号を取得。
大手電子部品メーカーにて、 電子軌道シミュレーションを担当。
PICソフトウェア合同会社を設立し、 プラズマ解析を中心とした 産業用シミュレーションソフトウェアを開発。
TECHNICAL EXPERTISE
Software Development

PIC/MCC・ソフトウェア開発

3次元PIC/MCC計算、粒子挙動、電場・磁場、 CAD形状、可視化機能など、 解析ソフトウェアの開発を行います。

PIC / MCC 粒子軌道 電磁場 3D解析
Plasma Analysis

プラズマ・プロセス解析

エッチング、CVD、スパッタ、表面活性化などを対象に、 プラズマ分布や粒子挙動、 条件差の影響を解析します。

Etching CVD Sputter Plasma
Engineering Support

改善提案・開発・設計・実機連携

解析結果をもとに装置構造やプロセス条件の改善案を検討し、 実機結果との比較から次の設計・検証へつなげます。

改善提案 装置設計 条件最適化 実機比較

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